ЖЭТФ, Том 117,
Вып. 5,
стр. 947 (Май 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 90, No 5,
p. 823,
May 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ Si-SiO 2 МЕТОДАМИ УЛЬТРАМЯГКОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Кожахметов С.К.
Поступила в редакцию: 12 Мая 1999
PACS: 78.20-e; 78.70Ck, 78.70Dm; 78.90+t
Поверхностные пленки SiO2 различной толщины (от 20 до 630 ), выращенные на кристаллической кремниевой подложке, исследованы с помощью методик отражения и рассеяния рентгеновского излучения ультрамягкого диапазона. На основе совместного анализа Si2,3-спектров отражения и индикатрис рассеяния показано, что значение критического угла полного внешнего отражения θc для SiO2 при λ=57 лежит в пределах 4.5-5. Получена угловая зависимость толщины поверхностного слоя, формирующего зеркальное отражение. Показано, что большую роль в формировании пика аномального рассеяния (пика Ионеды) играет поверхностный слой, толщина которого соответствует глубине проникновения излучения в вещество при угле скольжения, близком к критическому θc.
|
|