Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики

НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ

Общая информация о журнале

Проверить статус статьи

Готовится к печати
Том 166 , Вып. 2 , стр. 232

Атомный механизм влияния упругих деформаций эпитаксиальных слоев $\mathrm {Ge}$ на поверхности $\mathrm {Si(111)}$ на диффузию адатомов $\mathrm {Ge}$
Жачук Р.А.

Поступила в редакцию: 13 Февраля 2024

DOI: 10.31857/S004445102408008X

PDF (894K)

С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев $\mathrm {Ge}(111)$ - $7\times 7$ , выращенных на подложке $\mathrm {Si}(111)$ , на диффузию адатомов $\mathrm {Ge}$ . Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов $\mathrm {Ge}$ на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры $7\times 7$ и вызван образованием ковалентной связи между адатомом $\mathrm {Ge}$ и атомом димера в составе структуры $7\times 7$ . Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом $\mathrm {Ge}$ и атомом димера.

Сообщить о технических проблемах