Роль нефелоксетического эффекта для иона в матрицах селенида цинка и теллурида кадмия
Кривобок В.С., Аминев Д.Ф., Зазымкина Д.А., Ушаков В.В., Нариц А.А., Козловский В.И., Коростелин Ю.В.

Поступила в редакцию: 12 Сентября 2023

DOI: 10.31857/S0044451024060014

PDF (406.6K)

Для электронной подсистемы ионов переходных металлов, встроенных в кристаллическую решетку или сформировавших комплекс с лигандами, наблюдается эффективное уменьшение межэлектронного отталкивания по сравнению со свободными ионами, которое в современной литературе упоминается как нефелоксетический эффект. В данной работе исследуется роль нефелоксетического эффекта при формировании электронного спектра ионов Fe²⁺ в матрицах CdTe и ZnSe. Экспериментальная оценка соответствующих поправок осуществлена на основе анализа двух переходов - хорошо известного ⁵T₂(⁵D) → ⁵E(⁵D), позволяющего зафиксировать величину кристаллического поля, и менее изученного ³T₁(³H) → ⁵E( ⁵D). Обнаружение бесфононной линии данного перехода в CdTe:Fe позволило сравнить свойства двух люминесцентных систем и продемонстрировать, что для иона Fe²⁺ в CdTe роль нефелоксетического эффекта заметно возрастает. На основе полученных экспериментальных данных в сочетании с расчетами в рамках теории кристаллического поля уточнены значения параметров Рака для ионов Fe²⁺ в матрицах CdTe и ZnSe. Продемонстрированная в работе роль нефелаксетического эффекта для ионов Fe²⁺ в двух схожих по структуре матрицах важна как для практических задач, связанных с совершенствованием ИК-лазерных систем, так и для разрешения некоторых фундаментальных вопросов квантовой химии.