Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи

JETP, Vol. 6, No 1, p. 123 (January 1958)
(Русский оригинал - ЖЭТФ, Том 33, Вып. 1, стр. 158, Январь 1958 )

Decay Law for the Concentration of Non-Equilibrium Charge Carriers in Semiconductor
G.M. Goureau

Поступила в редакцию: 25 Декабря 1956

PDF (672.5K)


 
Сообщить о технических проблемах