Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


JETP, Vol. 55, No 1, p. 143 (January 1982)
(Русский оригинал - ЖЭТФ, Том 82, Вып. 1, стр. 237, Январь 1982 )

Model of a deep impurity center in a semiconductor two-band-approximation
V.I. Perel', I.N. Yassievich

Поступила в редакцию: 30 Июня 1981

PDF (263.9K)


 
Сообщить о технических проблемах