ЖЭТФ, Том 94,
Вып. 12,
стр. 270 (Декабрь 1988)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 67,
No. 6(12),
p. 2544,
December 1988
)
Статья доступна on-line только в английском переводе.
On the role of "derelaxation" of the (110) surface of GaAs in the formation of an Ag-GaAs Schottky barrier at 10 K
V. Yu. Aristov, I.L. Bolotin, V.A. Grazhulis
Поступила в редакцию: 27 Апреля 1988
|
|
Золотые страницы
PDF (164.1K)