Формирование состава в анионной подрешетке твердого раствора InAs_xSb_1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001)
Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Богомолов Д.Б., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В.

Поступила в редакцию: 2 Июля 2024

DOI: 10.31857/S0044451025040054

PDF (3.9M)

Экспериментально исследована зависимость доли мышьяка в слоях InAs_xSb_1-x, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As₂/As₄ и Sb₄. Экспериментальные данные описаны с помощью кинетической модели, основанной на положениях и подходах, предложенных и апробированных ранее применительно к GaP_xAs_1-x. В настоящей модели учтены особенности взаимодействия молекул As₂/As₄ и Sb₄ с поверхностью InAs_xSb_1-x(001). Установлено, что механизм взаимодействия молекул As₂ c InAs_xSb_1-x(001) зависит от поверхностной сверхструктуры.