Захват электронов и дырок на состояния вакансий ртути с испусканием одиночного оптического фонона при рекомбинации Шокли-Рида-Холла в узкозонных твердых растворах
Козлов Д.В., Румянцев Вл.Вл., Янцер А.А.

Поступила в редакцию: 6 Ноября 2023

DOI: 10.31857/S0044451024060117

PDF (742K)

Расчитано время рекомбинации Шокли-Рида-Холла (ШРХ) при захвате носителей заряда на состояния вакансии ртути в твердых растворах HgCdTe с шириной запрещенной зоны около 40 мэВ. В рассматриваемом случае захват как электрона, так и дырки возможен за счет испускания одного оптического фонона. Установлено, что при T = 4.2 и 77 К рекомбинация ШРХ определяет общее время жизни носителей в материале p-типа при концентрации центров рекомбинации более 2• 10¹⁵ см^-3, что позволяет управлять временем жизни носителей за счет изменения концентрации вакансий ртути.