Влияние облучения ионами с энергией 167 МэВ на сверхпроводящие свойства ВТСП-лент второго поколения
Дегтяренко П.Н., Скуратов В.А., Васильев А.Л., Овчаров А.В., Петржик А.М., Семина В.К., Гаврилкин С.Ю., Новиков М.С., Малявина А.Ю., Амеличев В.А.

Поступила в редакцию: 14 Сентября 2023

DOI: 10.31857/S0044451024060099

PDF (1075.2K)

Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1• 10¹²см^-2. Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см² поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5-8нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.