Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP_x As_1-x на вицинальной поверхности (001): кинетическая модель формирования состава в анионной подрешетке
Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В.

Поступила в редакцию: 2 Декабря 2022

DOI: 10.31857/S0044451024010061

PDF (787.2K)

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaP_xAs_1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As₂ и P₂. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.