Расчет ab initio примесно-вакансионных комплексов в алмазе при высоком давлении
Екимов Е.А., Ляпин С.Г., Разгулов А.А., Кондрин М.В.

Поступила в редакцию: 16 Мая 2019

DOI: 10.1134/S0044451019110105

PDF (424.8K)

Оптические центры в алмазе являются возможными кандидатами на роль однофотонных эмиттеров для приложений в квантовых коммуникациях, биологии и медицине. Изучение барической зависимости положения их бесфононных линий поможет глубже понять электронные и структурные свойства оптических центров. Эти исследования также могут быть полезны для тонкой настройки фотонной эмиссии оптических центров в алмазе с помощью приложенных механических напряжений. Полученные в статье результаты расчетов ab intio показывают, что зависимость от давления положения бесфононных линий обусловлена перераспределением электронной плотности, в то время как эффекты, связанные с увеличением энергии связи под давлением, оказываются на порядок более слабыми.