Строение и электронная структура a-SiN_x:H
Гриценко В.А., Кручинин В.Н., Просвирин И.П., Новиков Ю.Н., Чин А., Володин В.А.

Поступила в редакцию: 15 Февраля 2019

DOI: 10.1134/S0044451019110166

PDF (2437.2K)

Работа посвящена исследованию атомарной структуры и электронного спектра пленок a-SiN_x:H, выращенных с применением плазмохимического осаждения с варьированием потоков аммиака и моносилана, что позволило изменять стехиометрический параметр x в широких пределах (от 0.73 до 1.33). Пленки были исследованы с применением комплекса структурных и оптических методик с целью определения стехиометрического параметра x и его влияния на положение потолка валентной зоны и значение энергетической щели в плотности электронных состояний. Было проведено сравнение экспериментальных и рассчитанных значений параметров электронной структуры a-SiN_x и получено достаточно хорошее их совпадение в широких пределах изменения состава (параметра x). Полученные экспериментальные данные позволят с лучшей точностью моделировать характеристики электронного транспорта в пленках нестехиометрического нитрида кремния, что важно для создания на их основе мемристоров.