Температурно-зависимое магнитосопротивление однослойного графена
Васильева Г.Ю., Алексеев П.С., Васильев Ю.Б., Дмитриев А.П., Качоровский В.Ю., Смирнов Д., Шмидт Х., Хауг Р.

Поступила в редакцию: 26 Марта 2019

DOI: 10.1134/S0044451019090153

PDF (279.2K)

Выполнены измерения магнитосопротивления образцов однослойного графена с различными типами рассеивающих примесей в широком интервале температур и магнитных полей. Показано, что в образцах с короткодействующим беспорядком магнитосопротивление пропорционально квадратному корню из величины магнитного поля, за исключением случаев сравнительно низких концентраций, когда оно является линейным. Проанализирована корневая зависимость величины магнитосопротивления от температуры и получено хорошее согласие с теоретическими расчетами. Эти результаты свидетельствуют о том, что наличие корневого магнитосопротивления в малых магнитных полях можно рассматривать как характерную особенность однослойного графена с короткодействующим беспорядком.