Низкотемпературные магнитные свойства сверхпроводящих нанокомпозитов индия в матрице опала
Михайлин Н.Ю., Гальперин Ю.М., Козуб В.И., Кузмеров Ю.А., Волков М.П., Романов С.Г., Фокин А.В., Шамшур Д.В.

Поступила в редакцию: 30 Октября 2018

DOI: 10.1134/S0044451019050134

PDF (1153.2K)

Изучены магнитные свойства нанокомпозита In-опал, представляющего собой плотноупакованную систему шаров SiO₂ одинакового диаметра D с заполненными металлом полостями (изучены серии опалов с D = 190 нм, 230 нм, 290 нм). Измерены зависимости намагниченности m образцов от температуры T, а также от внешнего магнитного поля H при различных температурах ниже критической температуры сверхпроводящего (СП) перехода T_c. Определены параметры СП-перехода: T_c и критическое магнитное поле H_c. В зависимости m(H) при понижении температуры ниже 2.6 К появляются скачки намагниченности m, квазипериодичные по H, число которых увеличивается как при увеличении скорости развертки dH/dt, так и при уменьшении характерного размера включений In в нанокомпозите. Предложена модель, описывающая разрушение сверхпроводящего состояния при увеличении внешнего магнитного поля. Согласно этой модели, когда экранирующий ток достигает критического значения в приповерхностном слое нанокомпозита, происходит лавинообразное проникновение поля в объем. После этого СП-состояние восстанавливается, и магнитное поле «замораживается» в структуре нанокомпозита.