Межслоевой зарядовый перенос в двухслойном квазидвумерном органическом металле (ET)₄CoBr₄(C₆H₄Cl₂)
Любовский Р.Б., Песоцкий С.И., Жиляева Е.И., Флакина А.М., Любовская Р.Н., Торунова С.А.

Поступила в редакцию: 4 Июля 2018

DOI: 10.1134/S0044451019030143

PDF (221.2K)

На основе анализа поведения магнитосопротивления обсуждается режим межслоевого зарядового транспорта в двухслойном квазидвумерном органическом металле (ET)₄CoBr₄(C₆H₄Cl₂). Отмечается, что наиболее вероятным является сильнонекогерентный режим во всем интервале температур 1.5-300 К. Металлический тип температурной зависимости межслоевого сопротивления при низких температурах, скорее всего, связан с переносом зарядов по резонансным примесям.