Особенности пропускания (отражения) ультракоротких импульсов резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов
Коровай А.В., Мангир А.Г., Хаджи П.И.

Поступила в редакцию: 22 Мая 2018

DOI: 10.1134/S0044451019010012

PDF (560.6K)

Изучено нестационарное пропускание двух падающих на тонкую пленку ультракоротких импульсов лазерного излучения. Частота излучения одного из падающих импульсов находится в резонансе с двухфотонным переходом из основного состояния кристалла в биэкситонное, тогда как другой когерентно смешивает экситонное и биэкситонное состояния, приводя к сильной перенормировке энергетического спектра кристалла. Получена система нелинейных уравнений, описывающая временную эволюцию экситонной и биэкситонной амплитуд и полей трех проходящих через пленку импульсов. Исследовано влияние амплитуд и ширин падающих импульсов и временной задержки между ними на особенности их пропускания пленкой. Предсказан эффект существенной временной задержки в генерации проходящего через пленку импульса относительно падающего, резонансного частоте экситон-биэкситонного перехода. Доказана возможность генерации прекурсора, т.е. импульса, проходящего через пленку раньше, чем пик падающего импульса достигнет пленки, а также возможность генерации отраженного импульса в отсутствие падающего.