ЗОННАЯ СТРУКТУРА СИЛИЦЕНА В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
Герт А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н.

Поступила в редакцию: 24 Декабря 2014

DOI: 10.7868/S0044451015070123

DJVU (400K)

PDF (1189.9K)

Представлено моделирование электронной структуры силицена методом сильной связи с базисом sp³d⁵s^*. Результаты работы хорошо согласуются с расчетами из первых принципов. Методом инвариантов построен эффективный гамильтониан силицена в окрестности дираковской точки. В силицене атомы кремния расположены в двух параллельных плоскостях, перпендикулярно смещенных друг относительно друга на Δ_z, энергетический спектр существенно зависит от этого смещения. При помощи метода сильной связи определены коэффициенты эффективного гамильтониана для различных Δ_z.