МОДЕЛИРОВАНИЕ \it ab initio ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МОДИФИКАЦИЙ Ta₂ O₅
Перевалов Т.В., Шапошников А.В.

Поступила в редакцию: 2 Декабря 2012

DOI: 10.7868/S0044451013060153

DJVU (144.8K)

PDF (327.9K)

Проводится моделирование ab initio электронной структуры перспективного для микроэлектроники диэлектрика Ta₂ O₅ в кристаллических β- и δ-фазах. Изучаются как идеальные кристаллы, так и кристаллы с нейтральными кислородными вакансиями в различных координационных положениях. Моделирование осуществляется в рамках теории функционала плотности с использованием гибридных функционалов, включающих в себя обменную энергию Хартри - Фока. Данный подход дает корректное описание ширины запрещенной зоны: 4.1 эВ для β- Ta₂ O₅ и 3.1 эВ для δ- Ta₂ O₅. Определены положения уровней, обусловленных кислородными вакансиями в различных положениях, в спектре электронных состояний β- и δ- Ta₂ O₅. Установлено, что наличие кислородной вакансии в кристаллических модификациях Ta₂ O₅ приводит к формированию пика поглощения в спектрах энергетических потерь электронов.