ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
Старков А.С., Пахомов О.В., Старков И.А.

Поступила в редакцию: 14 Декабря 2012

DOI: 10.7868/S0044451013060141

DJVU (106.9K)

PDF (257.7K)

Зависимость свойств тонкой сегнетоэлектрической пленки от ее толщины исследуется на основе модифицированной теории среднего поля Вейсса. На основе вариационного исчисления анализируется возможность включения градиентных слагаемых в термодинамический потенциал. Выведено интегральное уравнение для поляризации, которое обобщает известное уравнение Ланжевена на случай наличия границ у сегнетоэлектрика. Из анализа уравнения следует существование переходного слоя на границе между сегнетоэлектриками или между сегнетоэлектриком и диэлектриком. Показано, что диэлектрическая проницаемость в этом слое зависит от направления электрического поля даже тогда, когда граничащие сегнетоэлектрики являются однородными. Полученные в рамках модели Вейсса результаты сравниваются как с аналогичными результатами моделей, основанных на корреляционном эффекте и на наличии диэлектрического слоя на границе сегнетоэлектрика, так и с экспериментальными данными.