ЖЭТФ, Том 140,
Вып. 5,
стр. 929 (Ноябрь 2011)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 113, No 5,
November 2011
доступен on-line на www.springer.com
)
РЕЗОНАНСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДОНОРНЫХ И АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ В КОМПЕНСИРОВАННОМ ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ
Багаев В.С., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Скориков М.Л., Шепель А.А.
Поступила в редакцию: 21 Марта 2011
С помощью методик, основанных на селективном возбуждении низкотемпературной фотолюминесценции, проведен анализ электронного спектра дефектов, возникающих в сильно компенсированном теллуриде кадмия ( CdTe). Показано, что доминирующие (с наибольшей концентрацией) акцепторы имеют энергии активации мэВ, мэВ, мэВ, не характерные для известных примесей замещения в CdTe. Для каждого из перечисленных акцепторов определены энергии возбужденных состояний и сделаны предварительные выводы о симметрии центров. Наблюдаемая структура возбужденных состояний отличается от спектра стандартных акцепторов замещения и дает возможность моделировать электронную конфигурацию дефектов.
|
|