СПЕКТР ЭЛЕКТРОН-ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ СТРУКТУРЫ Si/Ge С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge
Талочкин А.Б., Чистохин И.Б.

Поступила в редакцию: 9 Января 2011

DJVU (89.7K)

PDF (240.2K)

Исследованы спектры латеральной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge различных размеров. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электрон-дырочного спектра структур Si/Ge. Показано, что дырочные уровни квантовых точек Ge хорошо описываются моделью «квантового ящика» с использованием реальных размеров островков Ge. Установлено, что положением длинноволновой границы фоточувствительности структур Si/Ge с квантовыми точками Ge можно управлять с помощью изменения параметров роста.