ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ОТКЛИК КВАНТОВОЙ ЯМЫ НА ИЗМЕНЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ δ-СЛОЯ Mn В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/GaAs
Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б.

Поступила в редакцию: 21 Декабря 2010

DJVU (202.3K)

PDF (2779.5K)

Установлено, что в тонком слое сплава Ga_1-x Mn_x As (δ-слое Mn) в гетероструктурах, содержащих квантовую яму InGaAs/GaAs, может существовать ферромагнитное упорядочение двух типов в зависимости от геометрии образцов. В сингулярных образцах, в которых δ-слой Mn параллелен плоскости (001) GaAs, наблюдается «блоховская» температурная зависимость намагниченности «3/2», в вицинальных образцах с отклонением δ-слоя Mn от плоскости (001) GaAs наблюдается «перколяционный» ферромагнитный переход. Обнаружено, что поляризация фотолюминесценции квантовой ямы следует изменениям намагниченности δ-слоя Mn в зависимости от температуры по «блоховскому» закону в сингулярных образцах и по «перколяционному» закону в вицинальных образцах.