ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГИБРИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С МАНГАНИТНОЙ ПРОСЛОЙКОЙ
Петржик А.М., Овсянников Г.А., Шадрин А.В., Константинян К.И., Зайцев А.В., Демидов В.В., Кислинский Ю.В.

Поступила в редакцию: 7 Октября 2010

DJVU (141.2K)

PDF (413K)

Исследованы гибридные гетероструктуры, в которых высокотемпературный купратный сверхпроводник ( YBa₂ Cu₃ O_x) и низкотемпературный бислой ( Nb/Au) c критическими температурами соответственно T_c и T'_c разделены тонкой (d_M=5-20 нм) прослойкой из манганитов LaMnO₃, La_0.7 Ca_0.3 MnO₃ либо La_0.7 Sr_0.3 MnO₃. Измерены резистивные и магнитные свойства автономных (напыленных непосредственно на подложку) манганитных пленок, а также гибридных гетероструктур. С использованием квазиклассических уравнений получены аналитические выражения для проводимости гетероструктур при в случае малой прозрачности границы раздела сверхпроводник/манганит. Показано, что проводимость гетероструктур определяется эффектом близости, связанным с проникновением конденсатной волновой функции из бислоя Nb/Au в манганит, и существенно зависит от прозрачности границы раздела. При низких температурах, , обнаруживаются пики проводимости при напряжениях, определяемых обменным полем M-прослойки, а при T'_cc экспериментально наблюдаются особенности проводимости вблизи нулевых напряжений, обусловленные сверхпроводимостью YBa₂ Cu₃ O_x-электрода.