ЖЭТФ, Том 138,
Вып. 5,
стр. 862 (Ноябрь 2010)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 111, No 5,
p. 760,
November 2010
доступен on-line на www.springer.com
)
ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ТЕРБИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Инюшкин А.В., Талденков А.Н.
Поступила в редакцию: 26 Марта 2010
Проведены исследования теплопроводности монокристаллов парамагнитного тербий-галлиевого граната Tb3 Ga5 O12 ( TbGG) при температурах от 0.4 до 300 K в магнитных полях до 3.25 Тл. В температурной зависимости теплопроводности κ(T) обнаружен минимум при Tmin=0.52 K. Эта и другие особенности зависимости κ(T) связаны с рассеянием фононов на ионах тербия. Теплопроводность при T=5.1 К сильно зависит от направления магнитного поля относительно кристаллографических осей кристалла. Экспериментальные данные обсуждаются в рамках дебаевской теории теплопроводности с учетом резонансного рассеяния фононов на ионах Tb3+. Из анализа температурных и полевых зависимостей теплопроводности следует наличие сильного спин-фононного взаимодействия в TbGG. Низкотемпературное поведение теплопроводности (полевые и угловые зависимости) определяется в основном резонансным рассеянием фононов на первом квазидублете электронного спектра иона Tb3+.
|
|