ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ОКСИДЕ ИНДИЯ
Форш Е.А., Марикуца А.В., Мартышов М.Н., Форш П.А., Румянцева М.Н., Гаськов А.М., Кашкаров П.К.

Поступила в редакцию: 9 Марта 2010

DJVU (136.6K)

PDF (687.9K)

Методом золь-гель синтезированы образцы нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Минимальный средний размер нанокристаллов составил 7-8 нм, а максимальный - 18-20 нм. Исследования проводимости, измеряемой на постоянном и на переменном сигналах в широкой области температур (T=50-300 К) показали, что при высоких температурах перенос носителей заряда происходит по зоне проводимости, а в области низких температур наблюдается прыжковый механизм с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям.