ЖЭТФ, Том 138,
Вып. 1,
стр. 126 (Июль 2010)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 111, No 1,
p. 114,
July 2010
доступен on-line на www.springer.com
)
ПЕРЕХОДНОЙ МАГНИТООТКЛИК ФОТОВОЗБУЖДЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ: ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ЦИКЛОТРОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ И ЭВОЛЮЦИЯ УГЛА ФАРАДЕЯ
Васько Ф.Т., Романец П.Н.
Поступила в редакцию: 26 Января 2010
Теоретически изучается переходной магнитооптический отклик электронов с частично инвертированным начальным распределением, которое создается сверхкоротким оптическим импульсом вблизи энергии оптического фонона. Переходное циклотронное поглощение и фарадеевское вращение плоскости поляризации рассмотрены для объемных полупроводников ( GaAs, InAs, InSb), а также для квантовой ямы на основе GaAs. В расчете учтены затухание отклика, вызванное релаксацией импульса электронов при упругом рассеянии на акустических фононах, а также эволюция электронного распределения за счет квазиупругой энергетической релаксации на акустических фононах и эффективные неупругие переходы при спонтанном испускании оптических фононов. Рассмотрены нестационарное отрицательное поглощение в условиях циклотронного резонанса и особенности фарадеевского вращения плоскости поляризации, которые обусловлены частичной инверсией начального распределения. Отмечена возможность переходного усиления пробного поля в условиях циклотронного резонанса.
|
|