МЕХАНИЗМ ГИСТЕРЕЗИСНОГО ПОВЕДЕНИЯ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛЯРНЫХ ВТСП. УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ ШИРИНЫ ГИСТЕРЕЗИСА МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Балаев Д.А., Дубровский А.А., Шайхутдинов К.А., Попков С.И., Гохфельд Д.М., Гохфельд Ю.С., Петров М.И.

Поступила в редакцию: 24 Июня 2008

PACS: 74.81.Fa, 74.50.+r

DJVU (220.9K)

PDF (927.8K)

Исследовано гистерезисное поведение магнитосопротивления R(H) гранулярных высокотемпературных сверхпроводников ( ВТСП) классических систем Y-Ba-Cu-O, Bi-Ca-Sr-Cu-O и La-Sr-Cu-O при плотностях транспортного тока как меньше критической плотности (при H=0), так и больше нее. Для всех систем наблюдается универсальное поведение ширины гистерезиса магнитосопротивления - независимость от транспортного тока при одинаковых внешних условиях. Это указывает на то, что основным механизмом, определяющим гистерезисное поведение магнитосопротивления гранулярных ВТСП, является захват потока внутри ВТСП-гранул, а пиннинг джозефсоновских вихрей в межгранульной среде не вносит заметного вклада в формирование гистерезиса магнитосопротивления (в условиях протекания транспортного тока через образец). Экспериментальные данные по релаксации остаточного электросопротивления после воздействия магнитного поля также подтверждают этот вывод.