ЖЭТФ, Том 134,
Вып. 6,
стр. 1213 (Декабрь 2008)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 107, No 6,
p. 1039,
December 2008
доступен on-line на www.springer.com
)
ИНИЦИИРОВАНИЕ ЭКТОННЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПЛАЗМЫ С МИКРОВЫСТУПОМ НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ
Баренгольц С.А., Месяц Г.А., Цвентух М.М.
Поступила в редакцию: 14 Апреля 2008
PACS: 52.40.Hf, 52.77.Fv, 52.80.Qj, 52.65.-y
Получена эволюция быстрого (порядка 10 нс) омического перегрева протекающим эмиссионным током микровыступа на поверхности, контактирующей с плазмой. При этом учитывалась энергия, приносимая плазменными ионами и электронами, омический нагрев, эмиссионный источник выделения энергии (эффект Ноттингама) и отвод тепла за счет теплопроводности. Параметры плазмы рассматривались в диапазоне n=1014-1020 см-3, Te=0.1 эВ-10 кэВ. Получена величина порогового значения энергии, приносимой на поверхность из плазмы, на уровне 200 МВт/см2, превышение которого определяет взрывной характер нагрева, а именно, увеличение скорости роста температуры () и протекающего тока () в финальной фазе при К и А/см2. Несмотря на то что омический нагрев не играет существенной роли в случае плазмы с плотностью менее 1018 см-3 в связи с ограничением тока объемным зарядом электронов, при превышении порога быстрый перегрев вершины микровыступа наблюдается значительно раньше - за время около 1 нс. При этом интенсивная ионизация паров стенки вызывает рост плотности плазмы у поверхности и переход нагрева в режим омического взрыва. Рассмотренные условия для формирования микровзрыва на поверхности и сопровождающего его эктона могут реализовываться при взаимодействии плазмы с катодом, анодом или изолированной стенкой и приводить к образованию катодных и анодных пятен, а также униполярных дуг.
|
|