ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРИ РАССЕЯНИИ НА ЦЕНТРАХ МАЛОГО РАДИУСА В КВАНТУЮЩЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Андреев С.П., Павлова Т.В.

Поступила в редакцию: 21 Мая 2007

PACS: 72.10.Fk, 72.20.My, 71.10.Ca

DJVU (81.4K)

PDF (290.9K)

Получены формулы для диффузии и проводимости электронов полупроводника, рассеивающихся в квантующем магнитном поле на нейтральных центрах, справедливые для примесного потенциала произвольной глубины. Вычисления проведены на основе формулы Кубо [Kubo] с использованием волновых функций одноцентровой задачи рассеяния электрона в магнитном поле [A&Ptilde; Hamburg], полюсы амплитуды которых дают правильный спектр собственных и магнитопримесных состояний. Это позволило впервые получить точную зависимость коэффициента поперечной диффузии от продольной энергии электронов, определяемую рассеянием носителей на нейтральных примесях малого радиуса. Исследована зависимость при различных значениях напряженности магнитного поля и глубины примесного потенциала. Обсуждается возможность экспериментального наблюдения диффузии и проводимости с использованием ИК-лазеров.