МОДИФИКАЦИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И РЕЗОНАНСНЫХ СОСТОЯНИЙ НА НЕСИММЕТРИЧНЫХ КОРОТКОДЕЙСТВУЮЩИХ ДЕФЕКТАХ ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ СЖАТИИ
Васько Ф.Т., Стриха М.В.

Поступила в редакцию: 9 Августа 2007

PACS: 71.55.-i, 71.55.Eq, 71.70.Fk

DJVU (101.7K)

PDF (360K)

В рамках kp-метода изучена модификация локализованных и резонансных состояний на несимметричных короткодействующих дефектах в полупроводниках A₃B₅ под влиянием гидростатического сжатия. Расчет примесного вклада в плотность состояний проведен с использованием многозонного обобщения приближения Костера - Слетера для дефектов, несимметричных вдоль осей [001], [110] или [111]. Исследован переход между резонансным и локализованным состояниями, описан механизм появления и исчезновения пары уровней под действием сжатия. Обсуждены возможности сравнения результатов расчета с экспериментальными данными.