ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБНАРУЖЕНИЕ «КОНФИГУРАЦИОННЫХ» МОД БИСТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ CdF₂:In
Ритус А.И., Анзин В.Б., Командин Г.А., Волков А.А.

Поступила в редакцию: 6 Июля 2007

PACS: 61.72.Ji, 61.80.Ba, 78.20.Ci, 78.30.-j

DJVU (144.9K)

PDF (765.6K)

Предсказанные нами ранее для CdF₂:In новые «конфигурационные» моды обнаружены на частотах u₁≅ 32.4 см^-1 и u₂≅ 96.3 см^-1 соответственно для глубокого и мелкого состояний примеси. Частоты этих колебаний точно соответствуют рассчитанным нами потенциальным кривым для мелкого и глубокого состояний In при учете приведенной массы M=2m₁m₂/(m₁+2m₂) иона In (m₁) и двух ионов F (2m₂), приходящихся на примитивную ячейку флюоритов. Это подтверждает заложенную в расчеты величину потенциального барьера 0.02 эВ между примесными состояниями In в CdF₂. Определены диэлектрические вклады указанных мод, что позволило вычислить концентрации ионов In в глубоком N₁ и в мелком N₂ состояниях примеси. Полученное отношение N₂/N₁≅ 2 непосредственно показывает, что при фотоионизации глубоких примесных центров In образуется удвоенное количество мелких центров и что в глубоком состоянии на ионе In локализуются 2 электрона, что характерно для DX-центров. Обнаружено фотоиндуцированное увеличение действительной и мнимой частей диэлектрической постоянной (на частоте 25 см^-1 и ). Эти изменения соответствуют изменениям диэлектрических вкладов конфигурационных мод при освещении. Обнаружено также фотоиндуцированное уменьшение решеточного отражения CdF₂:In, связанное с примесными модами решетки.