ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СОДЕРЖАНИЯ КИСЛОРОДА НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ Nd_1.85Ce_0.15CuO₄ МЕТОДОМ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОМИКРОСКОПИИ
Цетлин М.Б., Захаров А.А., Менушенков А.П., Иванов Анд.А., Михеева М.Н., Линдау И.

Поступила в редакцию: 23 Октября 2006

PACS: 79.60.-i, 74.72.-h, 74.78.-w

DJVU (105.3K)

PDF (410.9K)

Методом фотоэлектронной спектромикроскопии исследованы изменения электронной структуры поверхности эпитаксиальных пленок Nd_1.85Ce_0.15CuO₄ (NCCO), связанные с изменением содержания кислорода и модификацией кристаллической структуры при травлении ионами Ar⁺. Предложен метод очистки поверхности пленок кислородосодержащих сверхпроводников, который включает поочередно глубокое ионное травление, высокотемпературный отжиг в окислительной среде для восстановления структуры и наcыщения ее кислородом, затем непродолжительное ионное травление для удаления адсорбированного слоя, образовавшегося при контакте поверхности с окислителем, и вакуумный отжиг радиационных дефектов. Применение такого метода к пленкам Nd_1.85Ce_0.15CuO₄ позволило добиться электронной структуры, присущей поверхности монокристаллов, сколотых in situ в измерительной камере.