ЖЭТФ, Том 132,
Вып. 1,
стр. 268 (Июль 2007)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 105, No 1,
p. 238,
July 2007
доступен on-line на www.springer.com
)
ИНВЕРСИЯ ЭФФЕКТА РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРОННО-ДОПИРОВАННОМ Ba0.6K0.4BiO3-x
Тулина Н.А., Клинкова П.А.
Поступила в редакцию: 12 Октября 2006
PACS: 74.62.Dh, 74.70.-b, 74.72.-h, 73.40.-c, 73.40.Ns, 74.62.Yb, 71.10.-w
Экспериментально обнаружен эффект электронной нестабильности гетеропереходов на базе монокристаллов Ba0.6K0.4BiO3-x. Показано, что эффект имеет противоположный знак по направлению электрического поля тока по сравнению с аналогичным эффектом, наблюдаемым в структурах на базе дырочно-допированных систем.
|
|
Золотые страницы
DJVU (48.9K)
PDF (262.1K)