НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ТРАНСПОРТ И ФЕРРОМАГНЕТИЗМ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs с Mn
Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Horikoshi Y., Onomitsu K.

Поступила в редакцию: 25 Октября 2006

PACS: 72.15.Gd, 75.47.-m, 75.50.Cc

DJVU (61.3K)

PDF (262.4K)

Синтезированы и исследованы структуры GaAs, в которые имплантирован Mn и добавочно Mg для увеличения концентрации дырок в имплантированном Mn слое. Измерения с помощью сквид-магнетометра показали наличие ферромагнетизма в интервале температур K, связанного с образованием в образце твердого раствора Ga_1-xMn_xAs и кластеров MnAs, Ga_1-yMn_y в результате быстрого высокотемпературного отжига. При температурах от 4.2 К примерно до 200 К наблюдался аномальный эффект Холла, вызванный добавочной намагниченностью образца. При увеличении температуры от 4.2 К колоссальное отрицательное магнитосопротивление переходило в положительное при К.