АДСОРБЦИЯ ЦЕЗИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ \beta 2-GaAs(001)
Кулькова С.Е., Еремеев С.В., Постников А.В., Шеин И.Р.

Поступила в редакцию: 19 Июня 2006

PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 73.20.At

DJVU (705.9K)

PDF (6.2M)

Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности β 2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T₃ в случае мышьяка в поверхностном слое и T₄ - в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев при этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях.