ОСОБЕННОСТИ ОТРАЖЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ДИЭЛЕКТРИКАМИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Кравец А.Ф., Джежеря Ю.И., Кравец В.Г., Климук О.

Поступила в редакцию: 2 Февраля 2004

PACS: 78.20.Ci, 78.20.Ls, 78.30.Am

DJVU (77.7K)

PDF (537.2K)

Исследованы изменения в спектрах отражения R(λ) кристаллических диэлектриков Al₂O₃, LiF и MgO в инфракрасном диапазоне (λ=2.5-25 мкм), вызванные воздействием магнитного поля. Обнаружено, что спектры отражения характеризуются особенностями в окрестностях длин волн, соответствующих возбуждению оптических фононных мод в исследуемых кристаллах, а магнитное поле приводит к заметному изменению величины отражения на этих длинах волн. Для количественного описания влияния магнитного поля на отражение света были исследованы спектры магнитоотражения Δ R/R. На спектрах Δ R/R наблюдаются резкие пики в окрестностях длин волн, при которых исследуемые материалы характеризуются минимальными отражающими способностями. Значения Δ R/R для p-поляризованного инфракрасного излучения в магнитном поле примерно 12 кЭ составили для Al₂O₃ около 0.5 % на мкм, для LiF приблизительно 7 % на мкм и для MgO примерно 0.07 % на мкм.