МИКРОСКОПИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ТРАНСПОРТА В СВЕРХРЕШЕТКАХ СО СЛАБОЙ ТУННЕЛЬНОЙ СВЯЗЬЮ
Теленков М.П., Митягин Ю.А.

Поступила в редакцию: 28 Декабря 2003

PACS: 73.21.-b, 73.40Gk, 73.61.Ey

DJVU (167.8K)

PDF (455.1K)

Построена микроскопическая модель резонансно-туннельного транспорта во внешнем стационарном однородном электрическом поле в полупроводниковых сверхрешетках со слабой туннельной связью с учетом многоподзонного характера задачи, принимающая во внимание зависимость от электрического поля процессов рассеяния на акустических и оптических фононах, заряженных примесях и шероховатости гетерограниц. На основании данной модели проведен численный расчет профилей туннельного резонанса для структур с малыми энергиями размерного квантования. Найдено хорошее согласие с экспериментом. Показано, что в структурах указанного типа существенную роль играет зависимость процессов рассеяния от электрического поля, а также существенно проявляются пороги упругих процессов. Кроме того, для данного типа структур получена существенная асимметрия не только первого туннельного резонанса, но и туннельных резонансов более высокого порядка.