ФОРМИРОВАНИЕ DX^--ЦЕНТРОВ В ПЛАНАРНО-ЛЕГИРОВАННОМ GaAs : Si В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Аше М., Сарбей О.Г.

Поступила в редакцию: 18 Декабря 2002

PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Ey

DJVU (165.2K)

PDF (420.6K)

Описываются результаты экспериментальных исследований временной зависимости уменьшения тока и его частичного восстановления в планарно-легированном GaAs : Si в сильных электрических полях за счет формирования DX^--центров. Приводится объяснение существования порогов по величине поля и концентрации доноров. В основе модели формирования центров лежит эффект изменения глубины и формы потенциальной ямы, связанной с планарным легированием, при перераспределении электронов между подзонами размерного квантования при их нагреве. При этом уровень DX^--центра, энергия которого больше глубины ямы в отсутствие нагрева электронов, опускается в потенциальную яму и образование центров становится возможным, если предположить, что одновременно с заполнением резонансных электронных уровней в зоне проводимости горячие электроны возбуждают локальные колебательные моды.