РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ВИРТУАЛЬНЫЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ФОРМИРУЮЩИЕСЯ ВСЛЕДСТВИЕ ОТРАЖЕНИЯ ОТ ГРАНИЦЫ СИЛЬНОЛЕГИРОВАННОЙ ОБЛАСТИ GaAs
Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В.

Поступила в редакцию: 12 Марта 2004

PACS: 73.40.Gk, 73.21.Fg

DJVU (125.7K)

PDF (363.4K)

Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs. Была обнаружена осциллирующая компонента транспортных характеристик симметричных однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs со спейсерами, обусловленная резонансным туннелированием электронов через виртуальные состояния, формирующиеся в спейсерной области структур вследствие отражения электронов от границы n^--GaAs/n⁺-GaAs и их последующей интерференции. Продемонстрировано, что электроны отражаются от границы сильнолегированной области преимущественно когерентно, как от одномерного усредненного потенциала случайно расположенных, начиная с этой границы, примесей. Показано, что подавление низкоэнергетических виртуальных резонансов обусловлено рассеянием электронов в результате их взаимодействия с продольными оптическими фононами (LO-фононами) в области спейсера.