ВЫСОТА ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ЯН-ТЕЛЛЕРОВСКОГО ЦЕНТРА
Васюков В.Н., Прохоров А.Д., Дьяконов В.П., Szymczak H.

Поступила в редакцию: 2 Декабря 2003

PACS: 71.70.Ej, 76.30.-v, 76.30.Fc

DJVU (120K)

PDF (395K)

В интервале температур T=5-300 К проведено исследование спектра ЭПР иона Cu²⁺ в кристалле ZnSiFH₂O. В результате показано, что спектр ЭПР можно представить в виде суперпозиции трех вкладов, которые имеют существенно различные свойства. Первый вклад имеет максимальную интенсивность при низких температурах и описывается спиновым гамильтонианом с большой анизотропией параметров. Второй вклад имеет максимальную интенсивность при высоких температурах и описывается спиновым гамильтонианом с малой анизотропией параметров. Третий вклад не описывается спиновым гамильтонианом и имеет форму частично ориентационно усредненного спектра ЭПР. Дано обоснование причины возникновения этих вкладов и характера температурной зависимости их интенсивностей на основе изменения заселенностей вибронных состояний при изменении температуры. В результате исследования температурной зависимости интегральной интенсивности спектра ЭПР определено значение высоты потенциального барьера ( см^-1), разделяющего три эквивалентные ян-теллеровские потенциальные ямы иона Cu²⁺. Полученное значение высоты барьера значительно отличается от оценки (100 см^-1), приведенной ранее [2,3] для иона Cu²⁺ в ZnSiFH₂O и основанной на использовании модели туннелирования. Показано, что характер температурных зависимостей ширины линии низкотемпературного и высокотемпературного спектров ЭПР существенно различен. Это различие указывает на то, что вклады низкотемпературного и высокотемпературного спектров ЭПР связаны с квантовомеханическими переходами между различными состояниями. В работе предполагается, что низкотемпературный вклад в спектр ЭПР обусловлен заселением подбарьерных вибронных состояний, а высокотемпературный - надбарьерных вибронных состояний.