РАСЩЕПЛЕНИЕ РАШБА В MIS-СТРУКТУРАХ HgCdTe
Раданцев В.Ф., Яфясов А.М.

Поступила в редакцию: 22 Февраля 2002

PACS: 73.20.Dx, 73.40.Qv

DJVU (148.8K)

PDF (439.2K)

Проведено сопоставление измеренных и рассчитанных в трех- и четырехзонной кейновской модели параметров спин-орбитального расщепления спектра в MIS-структурах на основе HgCdTe с положительной и отрицательной кейновской щелью E_g. Игнорирование при расчетах конечной величины спин-орбитального расщепления валентной зоны Δ приводит к значительному, особенно в случае E_g<0, завышению расщепления Рашба даже при малых отношениях |E_g|/Δ, хотя усредненные по двум спиновым ветвям спектра подзонные параметры в двух-, трех- и четырехзонном кейновском приближениях при одинаковых концентрациях практически не различаются. Как измеренные, так и рассчитанные величины эффекта заметно выше в бесщелевом HgCdTe, однако для обоих материалов четырехзонное приближение дает величину расщепления на 20-40 % меньше экспериментальной. Учет межэлектронного взаимодействия уменьшает, но не устраняет полностью эти расхождения. Показано, что обычно используемые при анализе аппроксимации двумерного спектра с линейным по квазиимпульсу спин-орбитальным расщеплением могут приводить к занижению эффективного параметра Рашба в 2-4 раза.