МЕХАНИЗМЫ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВАХ n-Bi-Sb
Каган В.Д., Редько Н.А., Родионов Н.А., Польшин В.И.

Поступила в редакцию: 26 Декабря 2001

PACS: 72.15.Jf, 72.15.Lh

DJVU (194.1K)

PDF (426.2K)

Для вырожденных полупроводниковых сплавов n-Bi-Sb, в которых в явлениях переноса участвуют только L-электроны, в зависимости диффузионной термоэдс α₂₂(H) () от магнитного поля при наблюдается максимум. По величине магнитного поля, соответствующей максимуму диффузионной термоэдс, определялось время релаксации электронов. С использованием зависимостей времени релаксации электронов от температуры, концентраций компонент сплава и легирующей примеси (концентрации электронов) были выделены составляющие времени релаксации электронов при рассеянии на фононах, ионизованных примесях и флуктуациях концентрации компонент сплава. Последний механизм рассеяния электронов («сплавной») впервые рассмотрен для сплавов Bi-Sb, и его вклад оказался сравним с другими механизмами рассеяния. Найденные времена релаксации использованы для расчета теоретических зависимостей термоэдс и коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от магнитного поля. Получено удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.