ЖЭТФ, Том 122,
Вып. 2,
стр. 366 (Август 2002)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 95, No 2,
p. 316,
August 2002
доступен on-line на www.springer.com
)
ФЛУКТУАЦИОННЫЙ МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ ПРЕРЫВИСТЫХ ТРЕКОВ БЫСТРЫМИ ИОНАМИ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Комаров Ф.Ф., Белый В.А.
Поступила в редакцию: 10 Апреля 2001
PACS: 61.80.-х
Рассмотрено влияние одно- и многоэлектронных процессов перезарядки быстрых тяжелых ионов на формирование треков в кристаллах. Предложенная модель флуктуации зарядовых распределений дает разумные оценки длины дефектных областей и междефектных промежутков в прерывистых треках. Модифицированная модель термического пика позволяет предсказать радиус треков. На примере облучения кристаллов InP ионами ксенона с энергией 250 МэВ показана адекватность подхода для объяснения всех наблюдающихся особенностей формирования прерывистых и непрерывных треков в этом материале.
|
|