ЖЭТФ, Том 102,
Вып. 4,
стр. 1303 (Октябрь 1992)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 75,
No. 4,
p. 706,
October 1992
)
Статья доступна on-line только в английском переводе.
Theory of scanning tunneling microscopy of the (110) surface of GaAs based on the method of quasistationary states and the formalism of tight binding
S.N. Molotkov, S.S. Nazin, I.S. Smirnova, V.V. Tatarskii
Поступила в редакцию: 18 Марта 1992
|
|
Золотые страницы
PDF (341.2K)