JETP, Vol. 67,
No 12,
p. 2544 (December 1988)
(Русский оригинал - ЖЭТФ,
Том 94,
Вып. 6(12),
стр. 270,
Декабрь 1988
)
On the role of "derelaxation" of the (110) surface of GaAs in the formation of an Ag-GaAs Schottky barrier at 10 K
V. Yu. Aristov, I.L. Bolotin, V.A. Grazhulis
Поступила в редакцию: 27 Апреля 1988
|
|
Золотые страницы
PDF (164.1K)