Природа носителей тока в высокотемпературных сверхпроводящих купратах и пниктидах
Мицен К.В., Иваненко О.М.

Поступила в редакцию: 16 Апреля 2026

PDF (2007.4K)

Рассмотрен механизм генерации носителей в высокотемпературных сверхпроводящих купратах и пниктидах с гетеровалентным и изовалентным допированием. Предполагается, что роль допирования заключается в формировании в области концентраций, соответствующих сверхпроводящему куполу, перколяционных кластеров водородоподобных центров с особой электронной структурой, которые выполняют в кристалле роль доноров или акцепторов в зависимости от структуры этих центров. В рамках проведенного рассмотрения показано, что в купратах, как дырочно-, так и электронно-допированных, всегда генерируются дырочные носители, тогда как в пниктидах - всегда электронные. В то же время в пниктидах с изовалентным допированием знак генерируемых носителей определяется типом формируемых водородоподобных центров, который зависит от соотношения ионных радиусов допанта и матрицы. Полученные выводы подтверждены результатами экспериментов. Ключевые слова: высокотемпературная сверхпроводимость, купраты, пниктиды, допирование, водородоподобные центры, генерация носителей заряда