Влияние галогеновой пассивации поверхности на излучательные и безызлучательные переходы в кремниевых нанокристаллах
Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А.

Поступила в редакцию: 14 Января 2019

DOI: 10.1134/S0044451019080078

PDF (2371.5K)

Для нанокристаллов кремния размерами до 2.5 нм, на поверхности которых оборванные связи насыщались атомами хлора или брома, в рамках теории функционала плотности рассчитаны электронная структура, а также скорости излучательных электронно-дырочных переходов и оже-рекомбинации. Как излучательные, так и оже-процессы оказались сильно замедленными по сравнению со случаем водородного покрытия, что свидетельствует в пользу эффективности воздействия фактора «поверхностной химии» на электронные и оптические свойства нанокристаллов.