Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 154, Вып. 6, стр. 1102 (Декабрь 2018)
(Английский перевод - JETP, Vol. 127, No 6, p. 1016, December 2018 доступен on-line на www.springer.com )

Зонные и примесные состояния в алмазе с центрами (MV)- (M = Si, Ge, Sn) из вычислений abinitio
Маврин Б.Н.

Поступила в редакцию: 17 Июня 2018

DOI: 10.1134/S0044451018120052

PDF (470.7K)

Методом ab initio вычислены структура, дисперсия электронных зон, парциальные (атомные и орбитальные) плотности электронных состояний и положение уровней примесно-вакансионного кластера (MV)- (M=Si, Ge, Sn) в алмазе. Волновые функции найдены в приближении метода функционала плотности с помощью гибридного обменно-корреляционного функционала, локализованного базисного набора гауссианов и сверхячейки из 192 атомов. Результаты сравниваются с нелегированным алмазом и с экспериментом. Обсуждается зависимость прямой и непрямой энергетической щели от типа кластера. Проведены расчеты с учетом спин-орбитального взаимодействия для идентификации примесных уровней, находящихся в валентной зоне. Обсуждается влияние электрон-электронного взаимодействия на положение примесных уровней. Обнаружен доминирующий вклад d-орбиталей в плотность состояний на примесном уровне во всех кластерах.

 
Сообщить о технических проблемах