ЖЭТФ, Том 153,
Вып. 4,
стр. 641 (Апрель 2018)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 126, No 4,
p. 535,
April 2018
доступен on-line на www.springer.com
)
Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантово-размерные состояния топологических изоляторов Bi2Se3 и Sb2Te3
Сурнин Ю.А., Климовских И.И., Состина Д.М., Кох К.А., Терещенко О.Е., Шикин А.М.
Поступила в редакцию: 18 Декабря 2017
DOI: 10.7868/S0044451018040119
Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально изучено влияние ультратонкой пленки Pb на поверхности соединений Bi2Se3 и Sb2Te3 на структуру электронных состояний топологических изоляторов. Выявлено наличие следующих особенностей: формирование двумерных состояний квантовой ямы в приповерхностной области, возрастание энергии связи дираковского конуса и внутренних уровней и одновременное перераспределение интенсивности электронных состояний системы в фотоэлектронных спектрах. Полученные результаты свидетельствуют о том, что топологические состояния имеют возможность существовать на границе раздела изучаемых материалов со сверхпроводником, что представляется перспективным для применения в квантовых компьютерах.
|
|