Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 153, Вып. 4, стр. 641 (Апрель 2018)
(Английский перевод - JETP, Vol. 126, No 4, p. 535, April 2018 доступен on-line на www.springer.com )

Влияние ультратонких пленок Pb на поверхностные топологические и квантово-размерные состояния топологических изоляторов Bi2Se3 и Sb2Te3
Сурнин Ю.А., Климовских И.И., Состина Д.М., Кох К.А., Терещенко О.Е., Шикин А.М.

Поступила в редакцию: 18 Декабря 2017

DOI: 10.7868/S0044451018040119

PDF (940.7K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально изучено влияние ультратонкой пленки Pb на поверхности соединений Bi2Se3 и Sb2Te3 на структуру электронных состояний топологических изоляторов. Выявлено наличие следующих особенностей: формирование двумерных состояний квантовой ямы в приповерхностной области, возрастание энергии связи дираковского конуса и внутренних уровней и одновременное перераспределение интенсивности электронных состояний системы в фотоэлектронных спектрах. Полученные результаты свидетельствуют о том, что топологические состояния имеют возможность существовать на границе раздела изучаемых материалов со сверхпроводником, что представляется перспективным для применения в квантовых компьютерах.

 
Сообщить о технических проблемах