ЖЭТФ, Том 152,
Вып. 6,
стр. 1333 (Декабрь 2017)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 125, No 6,
p. 1137,
December 2017
доступен on-line на www.springer.com
)
Экспоненциальное возрастание сопротивления при понижении температуры и сверхпроводимость в Pb0.45Sn0.55Te, легированном индием
Андрианов Г.О., Гальперин Ю.М., Козуб В.И., Михайлин Н.Ю., Парфеньев Р.В., Шамшур Д.В., Черняев А.В.
Поступила в редакцию: 18 Октября 2016
DOI: 10.7868/S0044451017120185
Исследованы температурные и магнитополевые зависимости электросопротивления ρ (T,H) полупроводникового соединения Pb0.45Sn0.55Te, легированного 5 ат.% In, при гидростатическом сжатии P<12 кбар. Обнаружено, что при всех давлениях температурная зависимость ρ (T) при T<100 K имеет экспоненциальный характер с энергией активации, уменьшающейся с ростом давления, что сопровождается появлением сверхпроводящего перехода на зависимостях ρ (T) и ρ (H) при P>4.8 кбар при T>1 K (Tc=1.72 К на уровне 0.5ρ N при P=6.8 кбар). Рассматривается модель, описывающая низкотемпературную «диэлектризацию» полупроводникового твердого раствора и появление сверхпроводящего состояния материала с увеличением степени гидростатического сжатия P>4 кбар.
|
|